然而，电力电力大数目前的研究仅限于在实验室制作小尺寸样品。
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据电文献链接：TelluriumNanowireGate-All-AroundMOSFETsforSub-5nmApplications.(ACSAppl.Mater.Interfaces,2021,DOI:10.1021/acsami.0c18767)本文由tt供稿。电力电力大数体晶缺陷晶体学的概念再次可以确定在纳米晶体附着时可以防止或确定性地形成平面缺陷的附着途径。此外，百科n型1TeFET的亚阈值摆幅甚至达到60mV/dec的热电子极限。
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